Mist-chemical vapor deposition (mist-CVD) adalah teknik modifikasi CVD yang menggunakan kabut halus dari prekursor cair, yang menawarkan biaya fabrikasi yang lebih hemat dan proses yang sederhana. Metode ini sangat potensial untuk membentuk lapisan tipis semikonduktor untuk komponen elektronik generasi baru. Mist-CVD memiliki beberapa keunggulan, seperti dapat dioperasikan pada kondisi yang relatif sederhana tanpa memerlukan sistem vakum tinggi yang mahal.Mist CVD juga umumnya menggunakan prekursor yang lebih aman dan tidak beracun dibandingkan dengan proses CVD konvensional. Metode ini mampu menghasilkan pelapisan film tipis secara merata pada substrat yang besar sehingga sangat cocok untuk fabrikasi skala besar.
Dalam aplikasinya, metode mist-CVD dapat digunakan untuk memfabrikasi beberapa divais elektronika generasi baru. Misalkan semikonduktor celah pita lebar (Wide Bandgap). Mist CVD sangat ideal untuk mendepositkan lapisan material ini yang memiliki konduktivitas dan sifat optik yang dibutuhkan untuk perangkat daya tinggi dan optoelektronik. Mist CVD juga sangat cocok digunakan untuk memfabrikasi material oksida transparan konduktif ata TCO. Lapisan material ITO sering kali digunakan pada beberapa perangkat seperti lapisan transparan pada layar sentuh dan sel surya. Beberapa pengembangan juga dilakukan menggunakan mist CVD untuk memfabrikasi transistor dan sensor gas. Selain itu, tidak hanya fabrikasi lapisan, mist CVD juga dapat digunakan untuk pengembangan nanomaterial seperti carbon nanotubes (CNT).
Namun demikian, metode mist CVD masih memiliki beberapa kekurangan. Misalkan, ketidakstabilan energi terjadi karena prosesnya tidak dilakukan pada kondisi sangat vakum. Ketidakseimbangan termodinamika pada proses deposisi juga akan menyebabkan lapisan yang difabrikasi dapat memiliki impuritas. Untuk itu, pengembangan lebih lanjut berkaitan kesetimbangan energi dan kestabilan proses deposisi sangat diperlukan untuk implementasi metode deposisi lapisan mist CVD untuk keperluan industri.
Penulis: Tahta Amrillah, Ph.D
